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P-型CaN相关论文
应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P—型GaN
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过800?℃,1?h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×1017?cm -3)的P-型GaN.首......
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MOCVD
离子注入
表面空穴载流子浓度
镁掺杂
P-型CaN
半导体
氮化钙
MOCVD ion implantation Mg|doped GaN
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