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薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究
对1.2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究,硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构,以提高击穿电压、抑制断沟道效应......
期刊
LDD结构
薄膜全耗尽SOI
CMOS
热载流子效应
溅Ti硅化物
PBL隔离
短沟道效应
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