在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益.文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、......

从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料......