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射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究
用射频共射复合靶技术和N2气保护下高温退火的后处理方法,在Si衬底上制备出了碳化硅薄膜,通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻......
期刊
RF共溅射
碳化硅薄膜
制备
射频共溅射
半导体
SiC film
RF cosputtering
compound target
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