Schottky势垒相关论文
结合片式叠层压敏电阻陶瓷的研究现状,在比较分析和实验研究的基础上,该文设计并研究了一种添加低熔促烧剂BO的低温烧结片式叠层Zn......
窄禁带半导体材料碲镉汞(HgCdTe)在中远红外光电器件和焦平面阵列方面具有非常重要的应用价值。通常，对碲镉汞的研究多在常规的测试......
该文在文献调研的基础上综述了低压ZnO压敏电阻的研究现状、发展方向及其市场前景;指出了中国低压ZnO压敏电阻器生产过程中存在的......
该文在超高真空下制备了VO(0001)、CrO(0001)和CeO(111)有序薄膜;利用光电子能谱和低能电子衍射,原位研究了Cu、Cr在VO(0001)及Cu......
采用LMTO ASA能带计算方法 ,研究 (Si2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Au) 6 (0 0 1 )和 (Ge2 ) 3(2......
期刊
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计......
双面肖特基势垒型ＧａＡｓ粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成，器件结构为金属－半导体－金属结构，该探测器能经受能量为１．５ＭｅＶ，剂量高达１０００ｋＧｙ的电子，５００ｋＧｙ的γ射线，β......
提出了晶体中存在着析出的铜颗粒，且铜与Ｃｕ２Ｏ间的接触面处形成Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的模型，在此基础上解释了Ｃｕ２Ｏ单晶样品的光学和电学特性之间的似乎矛盾的关......
采用固相烧结法制备La0.5Ca0.5MnO3（LCMO）陶瓷样品。以银胶做电极，用两线法对样品电输运性质，特别是对脉冲诱导电阻转变（electrical pul......
采用射频磁控溅射方法分别在玻璃、A1片和ITO玻璃上制备出性能优良的TiO2纳米薄膜,研究了薄膜光催化性能.通过XRD、SEM和UV-Vis吸......
阻变随机存储器（Resistance Random Access Memory,RRAM）是通过器件的电阻态可逆变化进行数据存储的一类存储器。它以简单器件构成（金......
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性．测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0．1-10^7Hz，温度为-100-100℃的范......
采用全耗尽非对称双Schottky势垒模型,以Pt/Pb（Zr,Ti）O3/Pt（Pt/PZT/Pt）三明治结构铁电薄膜电容为例,对铁电薄膜的漏电行为及其电滞回线......
期刊
总结了ZnO陶瓷压敏效应的特点,归纳了ZnO压敏陶瓷导电机理与显微结构之间的内在关系,分析了关于Schottky势垒起源的各种物理模型与......
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