本文采用集团模型和推广的Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算了ｃ－Ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原......

综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展，讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-F......

自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后,Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程.人们从中认清了一些重要的科学问题,发......

本文采用集团模型和推广的Ｈｕｃｋｅｔ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算ｃ－ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ 合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计......