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Si悬挂键相关论文

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同......

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氢化非晶硅铒掺杂 Si悬挂键光荧光

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