Ta掺杂相关论文
用水热法制备了KxNa(1-x)NbyTa(1-y)O3陶瓷粉体,研究了烧结和极化工艺对其压电性能的影响,试验结果表明Ta的掺杂提高了陶瓷的压电......
会议
氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,因为其在压电、光电、气敏、声表等领域独特的优势而受到学者们广泛青睐。......
本组前期工作实现了目前基于二氧化钛纳米棒钙钛矿太阳能电池的最高效率。本文基于该电池结构,对二氧化钛纳米棒进行掺杂改性,进一......
采用Ta元素掺杂TiO2光催化剂，研究掺杂引起的光催化效率变化、微观结构改变和催化剂改性的机制。采用溶胶凝胶法制备不同浓度的Ta元......
将Ta2O5与V2O5均匀混合，压制成溅射靶，用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火，形成掺杂二氧化......
作为一种典型的层状三元氧化物半导体材料,氯氧化铋(BiOCl)因其在污染物控制、水分解制氢、CO2光还原和N2固定等方面的潜在应用价......
采用改进的柠檬酸盐法制备了不同In、Ta掺杂量的BaCeO3基质子导体粉体,干压成型后分别在1150℃、1250℃和1350℃下进行烧结。采用X......
以Nb2O5、Na OH、KOH和异丙醇(C3H8O)为原料,采用水热法合成K0.5Na0.5Nb O3粉体,研究了C3H8O、Ta、Sb及Sb-Ta共掺杂掺杂对K0.5Na0.......
