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T型栅电极相关论文
飞秒激光光刻技术制备T型栅AlGaN/GaN HEMT的研究
GaN是目前研究最热门的一种化合物半导体材料,其禁带宽度大、电子漂移速度大、热传导率高,具有耐高压、耐热分解、耐腐蚀和耐放射性......
学位
半导体材料
飞秒激光光刻
等离子体处理
T型栅电极
阈值电压
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