本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘......

　　GaSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,是优良的电子和光电子器件衬底材料.可以用于光纤通讯、太阳能电池[1]、......

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本文用量子化学ａｂｉｎｉｔｉｏＶＢ法计算了Ｈ２—Ｈ２对色散能，通过构型优化得出四种不同的方式，发现色散能在微观上（３Ａ）范围，是有方向的，且Ｈ２中电子云分布并非定域于核......

介绍了利用FTP协议实现文件网络传输常用的三种方法，并给出了在VB编程环境下的代码实现过程；分析比较了三种方法的特点，采用FTP的API......

通过对Ｈ２Ｆ＋和Ｈ３Ｏ＋的ＶＢ法计算，并结合热力学分析，研究了ＨＦ酸性较弱的原因。......

将表面粗糙度作为评价垂直布里奇曼法砷化镓（VB-GaAs）抛光片表面质量的一项技术指标,研究了不同粒径的抛光液对VB-GaAs抛光片表面粗......