锑化镓(Gallium antimonide,GaSb)是III-V族化合物半导体,因为其具有优异的物理化学性能,常被用做衬底材料,应用于8~14mm及大于14m......

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体，很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进......

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VG......