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蓝绿Ⅱ—Ⅵ族半导体激光作为未来高密度光盘装置和激光打印机的光源,引人注目。自首次发表达到77K脉冲振荡的激光器以来,研究了主......
我们用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长一种新型的Ⅱ－Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．改变生长条件，可以控制Ｍｇ和Ｓ的组分在０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１．Ｍｇ和Ｓ的组分用俄歇电子能......
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜。用X－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数。......
我们用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长一种新型的Ⅱ－Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ。改变生长条件，可以控制Ｍｇ和Ｓ的组分在０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１。Ｍｇ和Ｓ的组分用俄歇电......
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－７薄膜，在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射后，提出了一种确定四元......
