ZnO:Cd薄膜相关论文
氧化锌(ZnO)是直接宽禁带半导体材料,晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm。室温下的宽度约为3.30eV,激子束缚能约为60meV。具备了发射......
ZnO是一种宽禁带半导体材料,它是高阻材料。为了增强ZnO薄膜的导电性能,采用Sol-gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO......
本文以载玻片、石英为基底,采用控制掺杂方法,制备了ZnO：Cd薄膜,通过热处理方法获得了优良性能的ZnO：Cd薄膜。研究分析了镉浓度为2%-......
采用Sol-gel法使用旋转涂覆技术在Si（100）基片上生长了ZnO：Cd薄膜.XRD结果表明：ZnO：Cd薄膜具有与ZnO一样的六角纤锌矿结构,随热处理温度......
采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与......
