ZnO单晶薄膜相关论文
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预......
近年来，宽禁带氧化物半导体材料ZnO由于其在短波长发光器件及紫外探测器等方面的巨大应用前景，受到了国内外学术界的广泛关注。与ZnS......
利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生......
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ZnO是直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。室温禁带宽度3.37eV,对应近紫外波段,且激子束缚能高达60meV,易实现室温或更高温......
