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退火气氛与扩散阻挡层对Cu膜表面完整性的影响
用反应磁控溅射和离子束辅助沉积(IBAD)方法分别在(111)单晶硅基体上沉积了Cu/ZrSiN与Cu/ZrN膜系,制得的试样在800 ℃下分别在真空......
期刊
ZrSiN
ZRN
扩散阻挡层
CU膜
表面完整性
AnnealingCopperDiffusionSurface topographyZirconium co
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