在总结多种非晶碳氢薄膜沉积方法的基础上,研究人员利用介质阻挡放电在大气压和低气压两种气压条件下成功地制备出含氢类金刚石(DL......

选用体积分数为99.999 9%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了a-C;H薄膜.利用傅里叶变换......

以甲烷为先驱气体通过中频磁控溅射Ti80Si20靶材在硅和不锈钢基底上制备TiSi-C：H薄膜,研究了甲烷流量对薄膜沉积速率、结构、力学和......

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采用直流的反应磁控溅射技术,以高纯石墨为溅射靶材和CH4为反应气体,调节CH4流量,在p（100）单晶硅和不锈钢基底上成功制备出系列的含......

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在Si（111）基底上制备a-C：H薄膜,利用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对a-C：H薄膜的表面形......

含氢非晶碳(a-C:H)薄膜主要由SP3C、SP2C和H 3种'元素'组成,在它们的三元相图中,a-C:H薄膜具有特定的组成区域.由于IR分析......

辉光放电碳氢聚合物(a-C：H)薄膜的原子序数低、应力小,具有良好的红外光透过性,有利于靶丸内氘氚冰层的红外加热。并且其为非晶的网......

利用液相电沉积的方法,从乙腈中在硅片上沉积非晶碳薄膜,首次发现了电流密度随反应时间呈波动变化的规律.红外光谱和拉曼光谱分析......