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a:SiO2相关论文
高能Xe离子辐照引起的注碳a:SiO2中新结构的形成
先用120keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜,再用能量为1754MeV的Xe离子辐照。注碳量为5.0×10^16—8.6×10^17ion/cm^2,Xe......
期刊
离子注入
高能离子辐照
a:SiO2
新结构
ion implantation high-energy Xe ion irradiation a:SiO2 ne
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