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bipolar-CMOS-DMOS(BCD)相关论文
基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片
本文提出可集成自提取结终端的0.35μm150V—BCD(双极一互补金属氧化物半导体一双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工......
期刊
BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)
场致发光
自提取结终端
高低
侧全桥驱动
bipolar-CMOS-DMOS(BCD)
el
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