基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片

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【摘要】

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本文提出可集成自提取结终端的0．35μm150V—BCD（双极一互补金属氧化物半导体一双重扩散金属氧化物半导体）全套新型高压工艺．利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片，并提

【作者】

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黄伟胡南中李海鸥于宗光

【机构】

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中国电子科技集团公司第五十八研究所,桂林电子科技大学信息与通信学院

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2013年9期

【关键词】

：

BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动 bipolar-CMOS-DMOS（BCD） el

【基金项目】

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国家自然科学基金（No.61274077）,江苏省自然科学基金（No.BK2011173,No.BK20120094）

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本文提出可集成自提取结终端的0．35μm150V—BCD（双极一互补金属氧化物半导体一双重扩散金属氧化物半导体）全套新型高压工艺．利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片，并提出了基于双极器件BC（双极集电极）结短路自提取结终端新工艺与新结构，既可满足场致发光高压驱动芯片应用，又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO（P型隔离结构）传统隔离结构，显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度，确保片内集成的低电阻率VDN—MOS／LDPMOS（N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管／P型横向扩散金属氧化

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