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电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究
在20~300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
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正电子捕获
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电子辐照
碳化硅(SiC)
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