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hBN能带结构相关论文
六方氮化硼的能带特性和深紫外探测器研究
六方氮化硼是一种典型的宽禁带III-V族化合物半导体,它的禁带宽度达到5.97eV,且其具有压电效应以及良好的紫外吸收特性,同时它有高......
学位
hBN能带结构
第一性原理计算
金半接触
深紫外光电探测器
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