This paper reports that longitudinally oriented CoCrPt thin films with Cr85W15 underlayer and CoCr intermediate layer fo......

本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si（111）衬底反应,制......

综述近年国内外在ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延生长领域的研究进展，在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物，从基础研究和技术发展两方面都......

3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们......