n-InP相关论文
本文应用光脉冲技术研究了负载电阻及还原态浓度对n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中暂态行为的影响,结果表明,光电流表减呈双指数形式......
本文应用光脉冲技术研究了电极电位及电流对n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中暂态行为的影响。结果表明,响应峰值处的规律与稳态相似,......
应用光阳极极化曲线,电流-光强曲线、光谱响应曲线、平带电位以及电流相对增加与吸附时间之间的关系曲线研究了Ru~(3+)表面吸附对n......
研究了波长、温度及表面处理对n-InP 光脉冲暂态行为的影响.结果表明.波长对时间常数无影响;随着温度升高,峰值下降,衰减变快.讨论......
本文介绍用有机高分子膜(LB膜和聚酰亚胺)代替n型InP肖特基势垒二极管中的薄氧化层,所得到的肖特基势垒二极管的势垒高度大于0.7eV......
用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中......
近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe<sup>3+</sup>/Fe<sup>2+</sup>溶......
在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延......
本文研究了支持电解质KCl浓度对n—InP光电化学稳定性的影响,指出在pH=1的饱和KCl溶液中,光照时能够形成1—2个分子层厚度的表面氧......
