nm工艺相关论文
为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阂值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术......
2007年9月英特尔推出全球首款32nmSRAM,2007年11月JBM推出32nmSRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32......
2006年11月英特尔决定采用193nmArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nmArF浸没......
2006年是65nm芯片量产年和45nm芯片首推年。193nm ArF浸没式光刻机将在量产65、45、32nm芯片中大显身手、大展鸿图。......
介绍了65 nm/45 nm工艺的研究成果、157 nm F2 stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术.着重讨论了157 nm F2stepper的F2激光器......