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nm金属氧化物半导体场效应晶体管相关论文
40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米......
期刊
40
nm金属氧化物半导体场效应晶体管
高频噪声模型
偏置依赖性
40 nm metal-oxide-semiconductor field-effect tr
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