用水平布里奇曼法（HB法）研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量（包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的......

针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束......

摘要：利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×10^17at／cm^3）n型GaAs接触层的欧姆接触，通过改变AuGe／Ni的厚度比、合金化的温度和......