ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约3.3 eV，激子结合能高达60meV。目前，ZnO是光电材料领域的研究热点，其p型电导掺杂和能......

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37 eV，激子束缚能为60 meV，远大于室温热能（26 meV），因而理论上会在室温下获得高效......