p-ZnO掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

p-ZnO掺杂相关论文

锂氮共掺杂p型ZnO的制备及其光电器件研究

氧化锌(ZnO)是直接带隙II-VI族半导体材料,因其有宽的带隙(3.37 eV)和高的激子结合能(60 meV),在紫外发光器件、低阈值激光器件和......

学位

分子束外延 Li-N双受主共掺杂 p-ZnO掺杂发光二极管紫外探测器

p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备与研究

氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV、激子束缚能高达60 meV,这使ZnO材料有望在短波长高效率光电......

学位

ZnO薄膜 p-ZnO掺杂 MOCVD ZnO同质结LED 电致发光

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