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用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文)
研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响。样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8&#......
期刊
空穴浓度
p-型GaN
Mg-注入
hole concentration
ptype G aN
Mgimplantation
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