深入地研究了ＳｉＮｘ钝化膜厚度对ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｐＨＥＭＴ电性能的影响，实验结果表明，ｐＨＥＭＴ器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；妆膜厚超过２００ｎｍ时，将影响ｐＨＥＭＴ器件电......