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光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响。计算了以Ni／Au基金属化方法形成的P型GaN电极的折射率，通过分析电极层中的......
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子，然后在N2气氛下在850-1150℃之间快速退火，研究了Mg^＋离子注入后样品退火前后的结构、光......
利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系，指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加......
GaN由于在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等方面广阔的应用前景而被作为当前化合物半导体的研究热点。虽然低电阻率和高热......
