p型ZnMgO相关论文
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。自1997年首次在ZnO实现室温光泵浦紫外激光，ZnO材......
在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别......
