对采用超高压烧结工艺，在不同烧结温度（保温时间均为２４０ｓ）下制作的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷，用Ｘ射线衍射仪对其相结合变化进行了分析研究，发现超高压烧结的Ｓｉ３Ｎ４陶 可......