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气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)
研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-x......
期刊
Al_xGa
Si
x)As
x=0~1
AlGaAs
外延层
间接带隙
Si掺杂
组份
电学性质
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