用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显......

用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMS......

报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分......