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β铁相关论文
具有高电子迁移率的β铁硅化物连续膜
日本筑波大学研制成功 β铁硅化物连续膜 ,其电子迁移率为目前多层膜的数倍甚至数十倍 ,接近理论极限。该多层膜制备时在FZ硅 ( 0 0 ......
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英特尔畅谈芯片间光布线的可能性
尽管底板间的光传输作为光内部连接已经进入实用阶段 ,但芯片间的光布线还停留在研究阶段。美国英特尔公司正在进行 L SI间通过光......
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