本文以Bridgman法晶体生长过程为对象,研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体单晶材料晶体生长中的共性凝固问题.分析了晶体生长过程的传热、......

利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,......

VG9000辉光放电质谱(GDMS)高的灵敏度和全元素覆盖的本领是其他分析手段无法比拟的,其检测限可达到10×10的量级,并且,VG9000 GDMS......

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例......

测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚......