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二硫化钳相关论文
单层二硫化钳在空位缺陷下的可饱和吸收性
单层二硫化钳是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件。由于半导体里的空位......
期刊
二硫化钳
空位缺陷
光学性质
可饱和吸收性
M0S2
vacancy defect
optical property
saturable absorption
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