位移损伤剂量相关论文
利用位移损伤剂量的方法分析Si太阳电池在电子辐射下性能参数的衰退。不同电子能量对电池性能参数的衰减利用位移损伤剂量关联起来......
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位......
对金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)生长的三结砷化镓太阳电池进行高能电子和质子辐照试验,获得太阳电池的短路电流、开路电压、......
CCD图像传感器作为高灵敏度光电集成部件，易受空间辐射的影响而发生性能退化和工作异常。开展其辐射效应评价研究并制定相应的防护......
本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同......
研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参......
