低压金属有机化学气相外延相关论文
采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外......
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测......
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外......
采用低压金属有机化学气相外延（LP-MOCVD）法生长Mg掺杂P型GaN薄膜，利用高分辨X射线衍射（HRXRD）技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应......
