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低温沉积方法相关论文
用SiCl/O-PECVD技术低温沉积硅基厚SiO薄膜
本文选取了不含H的SiCl/O混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术实现低温沉积Si基微米厚度的SiO薄膜,测试并分析沉积速率......
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