低磁场条件相关论文
用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5(Si1-xGex)4(x=0,0.2,0.3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条......
用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了(Gd1-xDyx)5Si4(x=0、0.1、0.125、0.15)和(Gd1-xTbx)5Si4(x=0.1、0.125)合金样品,用直接测量......
设计了基于渡越时间效应的,能够在低磁场条件下工作的S波段同轴扩展互作用腔振荡器.调制腔部分采用同轴非均匀三腔结构,使调制腔在......