体电容相关论文
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随......
传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性，这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之......
