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SiC肖特基二极管是一种大电流、高反压的宽带隙半导体器件。其整流电流可以高达几千安培,其正向导通电压非常小约为0.4V,然而其反......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
