光响应度相关论文
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量......
采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS2薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS2薄膜的......
随着光电子器件向低维度、多波段、集成化方向发展,多色光电探测器成为光学与电子信息领域中的研究热点。其中,紫外（UV）探测技术由于......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
为探究WS 2的光电探测器光电响应特性,本文以机械剥离法制备WS 2晶体薄膜,采用定位转移法在氧化硅片衬底上制备WS 2光电探测器,对W......
期刊
介绍了准确测量线阵ＣＣＤＬ转移效率及响应度非均匀性的实验方法，装置及测试结果。采用小光点注入法，在自动化装置上实现数据采集，用移动寻峰......
近年来,光敏有机场效应管（PhOFET）得到了广泛深入的研究。然而,研究报道主要集中在如何提高器件的光敏特性,针对宽光谱响应范围的研......
光电探测器是一种可以将光信号转换为电信号的装置,在军事和国民经济的各个领域中发挥着举足轻重的作用。随着社会的发展,人们对光......
雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）是一种具有高增益、快响应速度、小体积等特点的光电探测器,常用于光通信、激光测距、医......
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响......
有机光敏晶体管是一种在有机场效应管结构中引入光控“栅极”的新型光探测器件,其光灵敏度、光响应度性能参数与源/漏电极和有源层......
本文针对石墨烯光电探测器的性能进行研究，近年来，石墨烯良好的光学性能、电学性能、力学性能以及特殊的能带结构引起了人们的广泛关......
自2012年摩擦纳米发电机(Triboelectric nanogenerator,TENG)被首次报道以来,由于TENG将机械能转化为电能的特点,以及产生的电信号......
4H-SiC材料具有很多优点，但其仅对紫外光有明显吸收，对可见光及红外光不敏感，使4H-SiC光电子器件在应用中受到很大的限制。利用异质结......
本文利用p-n结理论，研究了任意两个反向偏置或不加偏压的p-n结电学特性相互影响的条件和特性。 在考虑BDJ光探测器深浅两结相互......
作为一种优秀的光吸收半导体材料,有机-无机杂化钙钛矿被广泛应用于光电领域.为了制备高性能光电探测器件,采用溶液法制备了高度有......
高速大数据的传输与信息处理是光通信中的重点。4×10G 850nm是大数据处理中心所用的关键部件,本文介绍了基于一种垂直腔体发射激......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD).这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
对于正面光入射的InP／InGaAs探测器，入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响，我们......
近几年来,新兴的钙钛矿材料使科学家们聚焦于其本身的诸多优势上。具有很吸引人眼球的光学特性、电学特性的钙钛矿材料,比其他材料......
以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO.并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n-ZnO......
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm^2的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结......
近年来，ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性，已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外......
近年来，直接带隙宽禁带半导体ZnO（3．37eV）以其优越的光电特性而成为紫外探测领域研究中的新热点。文章介绍了不同类型的ZnO基紫外光敏......
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预......
介绍了ZnO基紫外探测材料的主要制备方法、特性以及器件的最新研究进展，并简要分析了今后的发展方向。......
最近，南京大学电子科学与工程学院王枫秋教授、徐永兵教授、张荣教授带领的研发团队在新型低维材料光探测器研究领域取得重要进展。......
研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进......
在无催化剂条件下，采用化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石（110）衬底上制备了ZnO纳米线．X射线衍射（XRD）图谱上只有ZnO的（100）衍射峰和（110）衍射峰．扫......
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-......
高速大数据的传输与信息处理是光通信中的重点。4×10G 850nm是大数据处理中心所用的关键部件,本文介绍了基于一种垂直腔体发......
采用并五苯(Pentacene)和N,N′-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)两种不同导电类型的有机半导体作为有源层构成平面......
有机光敏晶体管是一种在有机场效应管结构中引入光控“栅极”的新型光探测器件,其光灵敏度、光响应度性能参数与源/漏电极和有源层......
作为一种优秀的光吸收半导体材料,有机-无机杂化钙钛矿被广泛应用于光电领域。为了制备高性能光电探测器件,采用溶液法制备了高度......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过逆温结晶的方法制备了CH3NH3PbI3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱......
分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极......
采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基......
新型有机光敏晶体管存储器（OPTM）因其集场效应、光敏和存储功能于一体的特点,又具有易集成和可制备柔性、多位存储器件的优势而备受......
学位
文章对40Gbit／s PIN／TIA组件的光纤耦合进行了理论分析，并进行了一些实验研究。通过使用紫外胶和精细固化方法，进行了光纤耦合固定，使得......
光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的光电子器件,其在国防科技和人们生产生活中具有广泛的应用。有机光电探测器包括有机......
半导体光探测器在军事和国民经济的各个领域均有广泛应用,如光纤通讯系统、成相遥感、环境监测以及光度计量等。已经商业化的光探......
有机半导体材料与器件的应用研究是有机电子学领域的研究热点,目前已取得了可喜的研究成果。其中,有机场效应晶体管(OFET)由于其功......
ZnO 是一种重要的宽禁带隙(Eg=3.37eV) 半导体材料,它的激子束缚能高达60meV。因此,氧化锌材料在紫外光电器件方面有巨大的应用潜......
红荧烯由于具有导电性好,吸收系数高等优良的半导体特性和荧光特性受到科研人员的广泛关注。但是红荧烯分子成膜性差、结晶过程难......
以Si(111)衬底,用脉冲激光沉积(PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器.Al叉指状电极是由......
制备了基于酞菁铜（CuPc）的有机光敏场效应晶体管,对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明,基于金源漏电极的器件,在波长655 nm,光......
期刊
