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光致原子脱附相关论文
脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs(001)量子点生长的影响
在InAs/GaAs(001)量子点生长过程中,当In As沉积量为0.9 ML时,利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面,由于高温下In原子的不稳定性,激......
期刊
INAS/GAAS量子点
脉冲激光
光致原子脱附
In As/GaAs(001) quantum dots
pulsed laser
photon stimul
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