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半导体纳米线/微米线器件的制备及性能研究
宽禁带直接带隙半导体材料(如CdS、ZnO、GaN等)拥有着优异的光电性能,另外纤锌矿的晶体结构使它们都具有压电特性。随着半导体光电......
学位
CdS纳米带
GaN纳米线/微米线
光致激光
ZnO纳米线阵列
压电光电子学效应
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