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采用热蒸镀膜方法,在制备出As_2S_3、As_2Se_3、GeS_2、GeSe_2、Ge_(20)As_(25)S_(55)、Ge_(20)As_(25)Se_(55)和Ge_(10)As_(40)S_......
该文系统地研究了AsS,AsSe,GeS,GeSe,GeAsS,GeAsSe,GeAsSSe七个体系硫系非晶半导体薄膜与光相互作用中所出现的光致暗化,光致漂白,......
报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后, 薄膜的光学透射边均出现绿移, 这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的, 即退火薄膜......
在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大......
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