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Al掺杂对HfO_2俘获层可靠性影响第一性原理研究
采用基于MS(Materials Studio)软件和密度泛函理论的第一性原理方法,研究了HfO2俘获层的电荷俘获式存储器(Charge Trapping Memory......
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Al
HfO_2
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杂质Al对电荷俘获存储器存储特性影响研究
当今智能社会对便携设备需求不断提高,因而非易失性存储器的需求也在与日俱增。伴随着电子产业的迅速发展,器件工艺尺寸在不断缩小......
学位
电荷俘获存储器
第一性原理
共存缺陷体
数据保持特性
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