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共格因子相关论文

AlGaN中应变状态的研究

本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在......

会议

X射线衍射 AlGaN 共格因子应变状态卢瑟福背散射

AlGaN中的应变状态

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期刊

三轴晶X射线衍射 ALGAN 共格因子应变卢瑟福背散射

离子注入硅退火及退火过程热力学研究

离子注入及退火工艺是半导体工艺掺杂的重要手段,是大规模及超大规模集成电路、光电集成电路的重要工艺环节,在“杂质工程”及“能......

学位

离子注入退火温度计算形核再结晶弹性应变能共格因子

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